IGBT串联中频炉节能效果浅析

节能型IGBT晶体管中频电源比传统可控硅中频电源节能25%-28%，节能关键原因有以下多个方面：

逆变电压高，电流小，线路损耗小，此部分可节能15%-18%，节能型IGBT晶体管中频电源逆变电压为2800V，而传统可控硅中频电源逆变电压仅为750V，电流小了近4倍，线路损耗大大降低；

功率因数高，功率因数一直大于0.97，无功损耗小，此部分比可控硅中频电源节能3%-5% 。因为节能型IGBT晶体管中频电源采取了半可控整流方法，整流部分不调可控硅导通角，所以整个工作过程功率因数一直大于0.97，无功损耗小。

炉口热损失少：因为节能型IGBT晶体管中频电源比相同功率可控硅中频电源一炉可快20分钟，20分钟时间内炉口损失热量可占整个过程3%，所以此部分比可控硅中频可节能3%左右。